5.12 - 5.13 SUMMARY TABLE DAN PSPICE WINDOWS

DAFTAR ISI

1. Tujuan

2. Alat dan Bahan

3. Dasar Teori

4. Prinsip Kerja

5. Gambar Rangkaian

6. Video 

7. Kumpulan Soal

8. Link Download

 

1. Tujuan

1. Untuk mengetahui  apa itu summary table

2. Untuk mengetahui apa itu pspice windows

3. Untuk mengetahui cara kerja summary table

4. Untuk mengetahui cara kerja pspice windows

2. Alat dan Bahan

- Battery 

Spesifikasi

Input voltage: AC 100~240V / DC 10~30V

Output voltage: DC 1~35V

Max. input current: DC 14A

Charging current: 0.1~10A

Discharging current: 0.1~1.0A

Balance current: 1.5A/Cell Max

Max. discharging power: 15W

Max. charging power: AC 100W / DC 250W

Jenis batre yg didukung: LiFe, Lilon, LiPo 1~6S, LiHv 1-6S, Pb 1-12S, NiMH, Cd 1-16S

Ukuran:126x115x49mm

Berat:460gr

- Transistor JFET dan Transistor Unipolar

transistor JFET

Transistor FET (Field Effect Transistor), dalam hal ini JFET (Junction Field Effect Transistor) adalah transistor yang bekerja dengan memanfaatkan efek kejadian dalam medan listrik.
Transistor FET mempunyai tiga elektroda, yaitu : Gate (G) atau pintu, Drain (D) atau cerat, dan Source (S) atau sumber. Ada dua jenis FET, yaitu type-N (kanal N) dan type-P (kanal P).
Jika pada transistor bi-polar (Junction Transistor) jalan masukannya yaitu basis diberi tegangan muka maju terhadap emitor, maka pada JFET jalan masukannya (gate) diberi tegangan muka terbalik terhadap source.

3. Dasar Teori

Summary Table

Karena kurva transfer dan beberapa karakteristik penting berbeda dari satu jenis

FET yang lain, Tabel 5.2 dikembangkan untuk menampilkan dengan jelas perbedaan satu sama lain

perangkat ke depan.

SPICE Windows

Karakteristik JFET n-channel dapat ditemukan dengan cara yang sama seperti

digunakan untuk transistor bipolar. Rangkaian kurva untuk berbagai tingkat kemauan V.

membutuhkan sapuan bersarang di bawah sapuan utama untuk tegangan drain-to-source. Itu

konfigurasi yang diperlukan muncul pada Gambar 5.46. 

Parameter Vto 3 mendefinisikan VGS VP 3 V sebagai tegangan pinch-off—

sesuatu untuk diperiksa ketika kita mendapatkan karakteristik kita. Memilih Analisis Pengaturan

ikon (ingat bahwa garis biru horizontal di bagian atas), Sapu DC pertama kali diaktifkan

dan kemudian diaktifkan untuk menghasilkan kotak dialog Sapu DC. 

Hasilnya adalah sekumpulan karakteristik yang muncul

pada Gambar 5.47. Label yang tersisa ditambahkan menggunakan ikon ABC.

Perhatikan bahwa tegangan pinch-off adalah 3 V, seperti yang diharapkan oleh parameter Vto. Itu

nilai IDSS sangat dekat dengan 12 mA.

4. Prinsip Kerja

Pada rangkaian tersebut terlihat bawah tidak terdapat arus pada base transistor itu disebabkan karena pada base transistor tidak terdapat arus yang masuk sehingga transistor nya menjadi tidak on

5. Gambar Rangkaian

prosedur percobaan

1.siapkan semua bahan dan alat

2. hubungkan semua bahan dan alat

3. atur tegangan dan hambatan

4. jalankan simulasi

6. Video 

7. Kumpulan Soal

Example

1. Dengan menggunakan data yang disediakan pada lembar spesifikasi Gambar 5.39 dan tegangan ambang rata-rata VGS (Th) 3 V, tentukan:

(a) Nilai k yang dihasilkan untuk MOSFET.

(b) Karakteristik transfer.

Untuk VGS 8, 10, 12, dan 14 V, ID akan menjadi 1,525, 3 (seperti yang ditentukan), 4,94, dan 7,38 mA,masing-masing. Karakteristik transfer digambarkan pada Gambar 5.40.

2. Buat sketsa kurva transfer untuk perangkat p-channel dengan IDSS 4 mA dan VP 3 V.

Problem

1. Apa perbedaan yang signifikan antara konstruksi MOSFET tipe perangkat tambahan dan MOSFET tipe deplesi?

jawab

Mosfet konstruksi khusus karena Mosfet jenis ini susunan bahannya dibuat dalam bentuk khusus, tidak seperti Mosfet biasanya. Adapun yang termasuk dalam Mosfet Konstruksi khusus adalah:

1. Mosfet Gerbang Ganda ( Dual Gate Mosfet )
2. V Mosfet
3. SIP Mosfet.

MOSFET Depletion Mode (D-MOSFET) Pada dasarnya terdiri dari N-Channel dan P-Channel. D-MOSFET terbuat dari bahan dasar silikon tipe P atau dapat disebut dengan Substrat (SS).

2. Dalam hal apa konstruksi MOSFET tipe deplesi mirip dengan JFET? Di

cara apa yang berbeda?

Jawab

Ada hal besar yang membedakan dalam setiap struktur serta karakteristiknya yang ada. Bahkan, definisi serta kegunaannya juga berbeda pula.

Multiple Choice

1. Kepanjangan MOSFET Adalah ......

a. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

b. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Technologi

c. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transformator

d. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transciver

e. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transmitter

Jawaban A

2. Tegangan pada JFET dimana arus tiba-tiba menjadi tidak terhingga disebut tegangan

a.	Breakup	d.	Upbreak
b.	Downbreak	e.	Break-off
c.	Breakdown

jawaban C

8. Link Download

rangkaian download disini

html download disini

video download disini

datasheet resistor download disini

datasheet  baterai download disini

datasheet transistor unipolar download disini